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镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造

摘要

一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理装置,其特征是具有:蚀刻处理low-k材料的蚀刻处理室151A;在真空中运送蚀刻处理后试料的真空运送室153;接收运来试料的接收装置,电压给予装置,和将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面,进行碳化、氮化、硼化、溴化、还原、非晶化或它们的组合的表面改性的铜阻挡层处理的铜阻挡层处理室151B;以及在该铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部,埋入铜的高真空处理室151C。

著录项

  • 公开/公告号CN1482666A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社日立高新技术;

    申请/专利号CN03106447.7

  • 发明设计人 加治哲德;内牧阳一;

    申请日2003-02-27

  • 分类号H01L21/768;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人杜日新

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 15:13:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-08-23

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-05-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-03-17

    公开

    公开

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