首页> 中国专利> 具非挥发记忆胞元配置之集成内存以及制造和操作该集成内存的方法

具非挥发记忆胞元配置之集成内存以及制造和操作该集成内存的方法

摘要

本发明揭示一种含有以铁磁性储存为基础之一非挥发内存胞元配置集成内存,包括拥有具晶体管控制的一磁阻效应之强力内存胞元(1),以及拥有一磁阻效应并在字符线(70)与位线(50)间连接了内存组件(60)的高成本效益内存胞元(2)。直接连接在位线与字符线间的该内存组件(60)最好系植入内存胞元数组中,该内存胞元数组可在含有晶体管(9)的内存胞元(1)之上逐一堆栈,从而达到一高集成密度。包括以上两种类型并从而能满足所有系统需求的该内存,其能制造于一模块并于一制造程序中生产的事实,将大幅降低其生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN1476615A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN01819422.2

  • 发明设计人 G·米勒;T·施勒施塞;

    申请日2001-10-29

  • 分类号G11C11/16;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 15:09:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C11/16 授权公告日:20070516 终止日期:20091130 申请日:20011029

    专利权的终止

  • 2007-05-16

    授权

    授权

  • 2004-04-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-02-18

    公开

    公开

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