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一种碳化硅晶须和微粉的工业制备方法

摘要

本发明涉及一种工业制备碳化硅晶须和微粉的方法,它是将石墨与其他工业用碳质和硅质原料混合后,装入工业SiC冶炼炉内进行合成反应,用石墨作导电发热体制备碳化硅晶须和微粉。该方法原料来源丰富廉价,生产工艺简单,可大批量工业化生产,其生产出来的晶须直径均匀,长径比大,异形晶少。因此,本发明具有制备工艺简单、设备投资小、生产成本低、产品质量好的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN1449994A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安科技学院;

    申请/专利号CN03114672.4

  • 发明设计人 王晓刚;李晓池;

    申请日2003-05-09

  • 分类号C01B31/36;C30B29/62;C30B29/36;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710054 陕西省西安市雁塔路58号

  • 入库时间 2023-12-17 14:57:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-26

    专利权有效期届满 IPC(主分类):C01B31/36 专利号:ZL031146724 申请日:20030509 授权公告日:20080903

    专利权的终止

  • 2014-04-09

    专利权的转移 IPC(主分类):C01B31/36 变更前: 变更后: 登记生效日:20140318 申请日:20030509

    专利申请权、专利权的转移

  • 2008-09-03

    授权

    授权

  • 2007-12-19

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071116 申请日:20030509

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2007-11-07

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071012 申请日:20030509

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2006-06-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-22

    公开

    公开

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说明书

技术领域

本发明涉及一种碳化硅晶须和微粉的制备方法,尤其涉及一种工业制备碳化硅晶须和微粉的方法。

背景技术

碳化硅晶须及微粉具有高熔点、高强度、高模量、热膨胀率低及耐腐蚀、耐磨等优良性能,作为金属基、陶瓷基等复合材料的补强增韧剂以及结构陶瓷、高级耐火材料、涂层材料的高级原料,被广泛用于机械、电子、航空航天及能源等领域。但现有的制备方法中,如国内经常采用的是酸处理碳化稻壳,外加SiO2调整原料,并加入复合催化剂装入石墨坩埚中,放入高温炉内,通入保护性气体Ar气,于高温下进行碳热还原反应制备碳化硅晶须;而发明专利《一种纳米碳化硅晶须的制备方法》(申请号99110846.9)则采用另一种方法:将碳质和硅质净原料做成溶胶,按比例充分混合、干燥制得二元干凝胶并置于石墨坩埚中,放入高温炉,通入氩气,在1300-1600℃进行碳热还原反应,制得碳化硅晶须。上述两种方法均存在如下缺陷:1、原料纯度和成本高;2、生产中使用的高温炉结构复杂,造价高;3、生产工艺复杂、合成难度大;4、高温加热过程属原料外部加热,因此受热不均匀,加热时间短,产生的异形晶较多;5、由于以上原因导致其生产成本高、产量小,很难大批量工业化生产。

发明内容

为克服上述缺陷,本发明的目的在于提供一种生产成本低、生产工艺简单、可大批量工业化生产碳化硅晶须和微粉的制备方法。该方法生产出来的晶须直径均匀,长径比大,产品质量好。

为实现上述目的本发明是以如下方法实现的:(1)将石墨与其他工业用碳质和硅质原料破碎后充分混合,其碳质原料总重量与硅质原料总重量的配比范围为:1∶1.1-2.5;(2)将混合好的反应料装入工业SiC冶炼炉内进行合成反应,其冶炼炉采用变功率或恒功率供电,此时用石墨作导电发热体,直至炉体火苗熄灭,合成反应结束关炉;(3)将制备好的碳化硅晶须和微粉出炉后纯化。

在制备过程中使用的工业用碳质原料包括无烟煤、烟煤、石墨、碳黑或石油焦中的一种或几种混合;工业用硅质原料包括石英砂、金属硅或有机硅中的一种或几种混合起来。混合好的反应料在入炉合成时可添加催化剂,也可不添加,添加时催化剂可为钠盐、硫酸盐、硅酸盐、金属氧化物的单一或两种以上组合,并与反应料充分混合均匀。

上述步骤(2)中合成反应中产生的一氧化碳气体可作为保护气体,无需再加入氩气,其合成温度为1400-2000℃,反应时间2-60小时,合成反应方程式为:

炉内的合成反应结束后,制备好的碳化硅晶须产品可采用脱碳、脱二氧化硅、脱铁的化学处理方法纯化。

本发明与现有技术相比,采用工业用原料和SIC工业冶炼炉生产,其原料来源丰富廉价,合成炉结构简单,可实现工业化大批量生产;合成过程中产生的CO气体可替代氩气作为保护气体,同时,生产过程采用石墨作导热发热体,炉中原料内部无限微热源均匀发热,其合成时间长,因而产品直径均匀、异形晶少、长径比大。因此,本发明具有制备工艺简单、设备投资小、生产成本低、产品直径率高、质量好的特点。 

具体实施方式

实施例1:(1)将固定碳含量90%、灰份含量0.2%、挥发份含量8.7%的石油焦以及含碳98%的石墨破碎成1MM以内的粉料,将SIO2含量99.3%的石英砂破碎成1.5MM以内的粉料;按C∶SiO2=0.56∶1的比例,将两类粉料配比后进行充分混合,成为反应料。(2)将反应料量的0.15%的氯化钠和反应料量的0.05%的氯化钴作为催化剂加入反应料中,充分混合均匀。(3)将上述备好的反应料装入工业SIC冶炼炉,采用恒功率供电冶炼,此时合成反应温度为1400℃,反应时间约2小时,合成中产生的CO可起保护气体的作用,炉体火苗熄灭后关炉。(4)制备好的碳化硅晶须和微分的混合物初级产品出炉后纯化。

实施例2:(1)将固定碳含量88%、灰份含量3%、挥发份含量6%的无烟煤和含碳98%的石墨破碎为0-1.5MM微粒,将SiO2含量99.3%的硅石破碎为0-2.0MM的微粒,将两类原料按C∶SiO2=0.6∶1的比例配料,并进行充分混合。(2)将配料量的0.1%的铣英砂和配料量的0.2%的食盐作为催化剂加入上述配料中,充分混合均匀。(3)将备好的反应料装入组合电极多芯SIC冶炼炉内,采用恒功率供电,炉内石墨导电发热,此时合成反应温度1800℃,反应时间30小时左右,合成中产生的CO起保护气体的作用,炉体火苗熄灭后关炉。(4)制得的产品为含量40-50%的初级碳化硅晶须和微粉,将初级产品出炉纯化。

实施例3:将固定碳含量89%、灰份含量4.6%、挥发份含量5%的烟煤焦炭和工业用含碳99%的石墨破碎为0-0.5MM微粒,将SiO2含量99%的硅砂破碎为0-0.5MM的微粒,将两类原料按C∶SiO2=0.7∶1.0的比例配料,并进行充分混合。(2)将备好的反应料装入组合电极多芯SIC冶炼炉内,采用恒功率供电,炉内石墨导电发热,此时反应温度2000℃,合成反应时间约60小时,合成过程中产生的CO可起保护气体的作用,直至炉内火苗熄灭关炉。(3)制得的产品为含量50%左右的初级碳化硅晶须和微分,将初级产品出炉纯化。

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