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带自动决定最优写电流的磁阻随机存取存储器方法和装置

摘要

一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元阵列器件,它可以以一个阻抗交叉点存储器(RXPtM)器件实现,包括一个芯片(亦即衬底),其上形成MRAM单元的阵列。优选,在该同一芯片上形成一个控制器,用于实现为决定一个最优选的写电流的设置算法,所述写电流用于在阵列的存储器单元中写入二进制数据位,同时保存先前写入该阵列的其它存储器单元中的数据。

著录项

  • 公开/公告号CN1433024A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 惠普公司;

    申请/专利号CN03101094.6

  • 发明设计人 F·A·佩尔纳;

    申请日2003-01-10

  • 分类号G11C11/15;G11C7/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吴立明

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 14:52:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-10-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-30

    公开

    公开

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