具有含磁隧道结的存储器单元的薄膜磁存储装置

摘要

在隧道磁电阻元件(100a)中，第一和第二自由磁化层(103)具有对应存储数据的磁化方向。第一和第二自由磁化层夹住非磁性导电体形成的中间层(107)来配置。数据写入时，中间层(107)中流过对应写入的存储数据的电平的方向的数据写入电流。通过由流过中间层的电流产生的磁场将第一和第二自由磁化层磁化为环状。