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具有改善了电流的输入耦合性能的表面结构光辐射二极管

摘要

由一个发光层(20)和一个比较厚的透明的电流耗散层(30)构成的光辐射二极管(100)发出的光信号的输出因电流耗散层(30)表面的垂直结构而得到了改善,与此同时因第二个电接触层(a second electrical contact layer,eine zweite elektrische Kontaktschicht)(50)有一个分布式侧面的结构,(adistributed lateral structure,eine verteilte laterale struktur)而使得电流耗散层(30)中电流的输入耦合基本实现了均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN1376315A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN00813471.5

  • 发明设计人 R·韦斯;K·斯特罗伊贝尔;

    申请日2000-09-21

  • 分类号H01L33/00;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人赵辛

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2023-12-17 14:27:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-15

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20111229 申请日:20000921

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-09-07

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L33/00 变更前: 变更后: 申请日:20000921

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2005-11-16

    授权

    授权

  • 2003-01-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-23

    公开

    公开

  • 2002-10-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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