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公开/公告号CN1349000A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN00131504.8
发明设计人 王尔德;于振兴;刘祖岩;王晓林;
申请日2000-10-13
分类号C22C23/00;H01M4/46;H01M8/22;
代理机构哈尔滨工业大学专利事务所;
代理人李依群
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-12-17 14:15:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-13
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-10-15
授权
2002-05-15
公开
2001-04-25
实质审查请求的生效
机译: 高容量过渡金属基储氢材料,可逆储氢
机译: 镁基储氢材料及其制备方法
机译:含Ti-Cr-V合金作为添加剂的储氢镁基纳米复合材料
机译:金属添加剂对氢化燃烧合成及随后的机械研磨(HCS + MM)制备的镁基储氢材料电化学性能的影响
机译:有机添加剂在镁/石墨复合材料中作为储氢材料的作用
机译:通过反应性机械研磨添加Ni和NbF_5来开发镁基储氢材料
机译:镁基储氢系统中的微观结构-性能关联:球磨氢化镁粉和镁基多层复合材料的情况。
机译:棕榈仁壳废料中生物炭的快速制备及其在镁基储氢材料中的新应用
机译:氢氩等离子体流中接收的纳米分散镁基粉末及其储氢材料的应用前景估计。
机译:电子充电石墨基储氢材料,(最终报告)。