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金属离子含量低的4,4′－1－4－1－(4－羟基苯基)－1－甲基乙基苯基－1,1－亚乙基双酚及其光敏抗蚀剂组合物

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摘要

本发明提供制备金属离子含量低的TPPA的方法,采用了处理过的离子交换树脂。还提供了从这种TPPA制备光敏抗蚀剂组合物的方法,以及采用这种光敏抗蚀剂组合物生产半导体器件的方法。

1. 金属离子含量低的4,4’－1－4－1－(4－羟基苯基)－1－甲基乙基苯基－1,1－亚乙基双酚及其光敏抗蚀剂组合物 [P] . 中国专利： CN1092176C . 2002.10.09
2. 金属离子含量低的4,4′－1－4－1－(4－羟基苯基)－1－甲基乙基苯基－1,1－亚乙基双酚及其光敏抗蚀剂组合物 [P] . 中国专利： CN1312486A . 2001-09-12
3. The low metal ion content of 4,4 '- 1- 4- 1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl phenyl ethylidene bisphenol, and that the photoresist composition prepared [P] . 韩国专利： KR100421270B1 . 2004-06-23

机译： 4,4'-[1- [1- [4- [1-（4-羟苯基）-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚的金属离子含量低，并且制备了光刻胶组合物
4. (4,4'-1-4-1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl phenyl ethylidene bisphenol having a low metal ion content and a photoresist composition [P] . 韩国专利： KR19990063688A . 1999-07-26

机译：具有低金属离子含量的（4,4'-[1- [4- [1-（4-羟苯基）-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚和光刻胶组合物
5. LOW METAL ION CONTAINING 4,4'-(1-(4-(1-(4-HYDROXYPHENYL)-1-METHYLETHYL)PHENYL)ETHYLIDENE)BISPHENOL AND PHOTORESIST COMPOSITIONS THEREFROM [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0854850B1 . 2000-04-05

机译：含4,4'-（1-（4-（1-（4-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基）苯基）亚乙基）双酚的低金属离子及其光致抗蚀剂组成