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测量产额损失芯片数目及各类差芯片数目的方法

摘要

提供一种用于测量因半导体芯片的缺陷所造成的产额损失芯片数和分类的差芯片数的方法,利用这种方法有可能明显地提高半导体芯片的产额,其途径是通过测量在半导体制造过程的任一个处理、任一个设备、和任一个处理阶段中因芯片缺陷造成的产额损失芯片数、最大产额损失芯片数和各种特定类型的差芯片数,来管理芯片的缺陷。测量因半导体芯片的缺陷造成的产额损失芯片各类差芯片数的方法包括以下步骤:利用一个缺陷检查设备从一个经过一个预定处理的晶片上的各有效芯片中检查出一些有缺陷芯片并把检查出的有缺陷芯片标准在一个第一晶片图上;通过把第一晶片图上的有缺陷芯片与它们的相邻无缺陷芯片进行配对来形成一些异配芯片并确定一个由这些异配芯片所在的区域所构成的最大可靠性区域;完成处理后利用一个产额测量设备在一个第二晶片图上标注出好芯片和各类差芯片;以及,对应于第一晶片图上最大可靠性区域中的有缺陷芯片和无缺陷芯片来分类计数第二晶片图上的好芯片数目和各类差芯片数目。

著录项

  • 公开/公告号CN1316101A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2001-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社艾塞米肯;李在根;

    申请/专利号CN99808921.4

  • 发明设计人 李在根;

    申请日1999-07-20

  • 分类号H01L21/66;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人蹇炜

  • 地址 韩国大田广域市

  • 入库时间 2023-12-17 14:02:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-10-18

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2001-10-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-10-03

    公开

    公开

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