以晶体管特定的接触设计来增强晶体管性能的技术

摘要

藉由例如局部调适在个别晶体管(210、210A、210B)内接触结构(230A、230B)的尺寸和/或密度，或者以更总体的方式，可以增加先进半导体装置(200)的总性能。因此，该接触结构(230A、230B)与局部装置特性之间的彼此互动可以列入考虑。另一方面，可以保持与习知制程策略的高度兼容性。