包括具有减小的寄生电容的电容器的电压升压电路

摘要

集成电路的一种电容器结构,该结构包括一个主电容器和一个寄生电容器,包括:一个第一种导电类型的衬底(2000);第一个介电层(2040);部署在第一个介电层(2040)上的第一个导电层(2010),上述第一个导电层(2010)形成主电容器的第一个板极和寄生电容器的第一个板极;部署在第一个导电层(2010)上的第二个介电层(2020);以及部署在第二个介电层(2020)上的第二个导电层(2030),第二个导电层(2030)形成主电容器的第二个板极;其特征在于,该电容器结构进一步包括部署在衬底(2000)内的一个阱(2100),该阱是与上述第一种类型相反的第二种导电类型的,第一个介电层(2040)部署在阱(2100)上,而阱(2100)形成寄生电容器的第二个极极,并与衬底(2000)形成另外一个结电容器,该构造使得寄生和结电容器相互串联,并与主电容器串联,从而减小杂散电容。