具有改进的半选择裕量的磁存储器结构

摘要

可增加半选择裕量的磁存储器包括磁存储单元阵列,每个滋存储单元阵列包括具有易磁化轴的数据存储层和导体阵列,每个导体与易磁化轴之间有一个方向夹角,它预置为可以增加磁存储器中的半选择裕量。方向夹角为使所选的存储单元中的水平写磁场增加而垂直写磁场减小。任一磁存储单元包括含有控制层的结构化的数据存储层,它减小了未选的磁存储单元被半选择开关的可能性。