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生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法

摘要

在直接法拉晶机中采用热屏蔽组件,用于有选择地保护半导体材料的单晶锭料,以便控制锭料单晶结构中聚集的缺陷类型和数据密度。热屏蔽组件具有一个上热屏蔽,该上热屏蔽连接到一个下热屏蔽上。上热屏蔽和下热屏蔽相互连接,并滑动式连接到一个中间热屏蔽上。下热屏蔽能够向上伸入中间热屏蔽,以便使位于拉晶机单晶生长室内部的热屏蔽组件的外形减至最小。然而,当必须控制单晶锭料的形成时,下热屏蔽可以从中间热屏蔽延伸,并向下伸入拉晶机坩埚中,以便非常靠近坩埚中熔化的半导体原材料的上表面。还公开了应用热屏蔽组件的方法。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-12-01

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2000-09-13

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-09-06

    公开

    公开

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