公开/公告号CN1255697A
专利类型发明专利
公开/公告日2000-06-07
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN99120598.7
申请日1993-05-29
分类号G09F9/35;H01L27/00;H01L29/786;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人李亚非
地址 日本神奈川县
入库时间 2023-12-17 13:37:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-17
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L27/00 授权公告日:20040804 期满终止日期:20130529 申请日:19930529
专利权的终止
2004-08-04
授权
授权
2000-06-07
公开
公开
2000-05-10
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 用于有机光电子器件的化合物,用于有机光电子器件的组合物,有机光电子器件和显示器件
机译: 用于有机光电子器件的化合物用于光电子器件的有机有机光电子器件和显示器件