理想的氧沉淀硅晶片及氧外扩散较小的工艺

摘要

一种对单晶硅晶片(1)进行热处理以影响在后续热加工步骤中晶片中的氧的沉淀行为的工艺。该晶片具有正表面(3)、背表面(5)和正表面与背表面之间的中心平面(7)。在该工艺中,对晶片进行热处理(S2),以便形成晶格空位(13),该空位形成在硅的本体中。然后,使晶片从热处理温度冷却,冷却速率控制成使某些但不是全部晶格空位能够扩散到正表面,以便产生具有其峰值密度位于中心平面处或其附近的空位浓度分布的晶片,该浓度通常朝着晶片正表面的方向降低。