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能快速生长氧化镁膜的膜生长方法及其生长装置

摘要

将具有环形永磁铁31的辅助阳极30放置在真空室11中,使辅助阳极和炉20的中心轴同轴且使其围绕着炉的上面的区域放置。将由使用弧光放电的等离子束发生器13产生的等离子束引入炉中。在炉中将镁用作汽化材料。向真空室中提供和氧混合的气体,因此,由炉中升华的氧化镁粒子和由等离子体产生的氧等离子体起反应以在基片40上形成氧化镁(MgO)膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1192483A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1998-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友重机械工业株式会社;

    申请/专利号CN98100026.6

  • 发明设计人 酒见俊之;田中胜;

    申请日1998-01-14

  • 分类号C23C14/32;

  • 代理机构中科专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘晓峰

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2023-12-17 13:13:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-12

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-12-15

    授权

    授权

  • 2000-04-05

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-09-09

    公开

    公开

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