以银-氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺

摘要

以银-氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺，它是在一种银基体或主要含银的合金基体中含有氧化镉，其成分范围为：Ag80-88％，CdO12-20％，Ni0.1-0.2％，各组成的总和为100％，其生产工艺为：将银锭、镉锭和镍锭置于熔炼炉中熔炼成铸锭，加工成碎屑，经高温高压氧化得到一种银氧化镉材料，碎屑在钢模中成型，然后在高温中挤压成一定规格的条材，再经拉拔便得到线材产品。本发明节约了贵金属银8％，且工艺流程短，设备投资少。

说明书

本发明涉及一种电接触材料及其生产工艺，尤其涉及一种以银氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺。

银氧化镉为基础的接触材料是一种重要的触点材料，它在1940年取得工业应用以来，根据电器产品的使用要求，目前已形成一个产品系列，即AgCaO8、AgCaO10和AgCdO12。其产品已广泛应用于额定电流为40～600A的交流接触器和额定电流小于100A的空气开关，以及重负载继电器和过流保护电器等。上述产品的生产方法有两种；即粉末冶金法和合金内氧化法。但上述方法生产的产品均存在各自的缺点：即粉末冶金抗熔焊性好，但电寿命低；合金内部氧化法电寿命高，但由于其内外结构、性能不一致，因此其抗熔焊性差。因此，前者主要用于线路保护电器，后者主要用于控制电器。

本发明的目的在于提供一种CdO含量更高的银氧化镉电接触材料及其生产工艺。

本发明是这样实现的：一种以银一氧化镉为基础的电接触材料，它在一种银基体或主要含银的合金基体中含有氧化镉，其成份范围为：Ag80—88％，CdO12—20％，Ni0.1—0.2％，各组分的总和为100％。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料，该材料中还含有占总量0.01—0.15％的铝及锑。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料，组分中氧化镉的份额为13—19重量百分比(相当于材料的总重量)。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料中，组分中氧化镉的份额为13—19重量百分比(相当于材料的总重量)。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料，组分中氧化镉的份额为14—18重量百分比(相当于材料的总重量)。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料，组分中氧化镉的份额为15—18重量百分比(相当于材料的总重量)。

上述以银一氧化镉为基础的电接触材料，组分中氧化镉的份额为16.2—17.8重量百分比(相当于材料的总重量)。

本发明还可以是这样实现的：一种以银一氧化镉为基础的电接触材料的生产工艺，其工艺方法是：

将银锭、镉锭和镍锭置于熔炼炉中熔炼成铸锭，加工成碎屑，经高温高压氧化得到一种银氧化镉材料，碎屑在钢模中成型，然后在高温中挤压成一定规格的条材，再经过拉拨机拉拨得到线材产品。

上述高温高压氧化的温度为760—820℃，压力为4—6Kg/Cm²，保温时间10—15小时，挤压成条材的加热温度为840—900℃。

与现有的以银一氧化镉为基础的电接触材料及其生产工艺相比，本发明由于采用了先氧化后挤压的生产工艺，使线材的内外结构性能一致，将以银一氧化镉的基础的电接触材料中的氧化镉含量由10—12％，搞高到12—20％，且工艺流程短，设备投资少，并且与10—12％的银氧化镉具有同等的电气综合性能。因此节约了贵金属用银8％，具有很好的经济效盖和社会效益。

线材的物理机械性能为：

规格：    φ1.12—3.90mm

密度：    ≥9.8g/cm³

硬度：    Hv4.9N＞700MPa

电阻率：  ≤2.7μΩ.cm

抗拉强度：＞220MPa

延伸率：  ＞6％

制成的AgCdO/Cu复合铆钉触头完全符合GB11098—89的各项技术要求。

图1为本发明的工艺流程图。

下面结合附图对本发明作一详细描述：

例一：

称取25.10Kg银锭和含镍10％的银镍合金0.62Kg，在中频感应炉在熔炼，随后加入4.756Kg的镉锭及占总量0.01—0.15％的铝及锑，清渣后铸成方锭或园锭，清除表面杂质及切去浇口，用车床或刨床或铣床加工成碎屑，装入高压容器中加热至760—800℃并注入4—5kg/cm²的氧气，保持13—15小时，碎屑在钢模中压成φ65mm长250mm的坯块，然后加热至860—880℃挤压成φ4.0mm的条材，经拉拨机拉成φ1.12—3.36mm的线材。

例二：

用例一的配料比熔炼铸成方锭，用轧机或挤压机制成片状合金带，用中床或剪床制成碎片，装入高压容器中加热至800—820℃，并注入6kg/cm²的氧气，保持10—12小时，再按例一中的成型、挤压条件，经拉拨后亦可制成φ1.12—3.36mm的线材。