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公开/公告号CN1131285A
专利类型发明专利
公开/公告日1996-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 三田工业株式会社;
申请/专利号CN95118314.1
发明设计人 辻田充司;田中作白;寺田幸史;寺田卓司;山里一郎;宫本荣一;
申请日1995-10-31
分类号G03G15/06;
代理机构北京市中原信达知识产权代理公司;
代理人张天舒
地址 日本大阪府
入库时间 2023-12-17 12:48:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1998-09-02
专利申请的视为撤回
1996-09-18
公开
机译: 光敏化化学增幅型抗蚀剂材料的制版方法:光刻法使用相同的半导体器件模板,纳米浸渍法使用模板
机译: 用于诸如变形透镜之类的微透镜的掩模形成方法,涉及使用紫外/电子束曝光光敏材料以将图案写入光敏材料上。
机译: 光敏材料,使用光敏材料形成抗蚀剂图案和制造电子零件的方法
机译:使用光敏聚合物记录材料的全息和电子散斑图案干涉法
机译:使用UK乳腺X线照像剂量法协议估算平均腺体乳房剂量的其他因素。
机译:用x吨染料敏化的光敏聚合物材料,用于使用禁止的单重态-三重态电子跃迁进行全息记录
机译:用近红外发射检测法测量光敏材料的单线态氧产生量子产率,以评价光动力疗法
机译:干涉法用于表征光敏和非线性光学材料。
机译:使用角度分辨反射电子光谱法量化范德华材料中的电子带相互作用
机译:使用荧光差分路径长度光谱法对光敏剂浓度进行体内定量:光敏剂配方和组织位置的影响
机译:使用同步辐射通过电子光谱法研究电子相关性。