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高强度导电性聚噻吩薄膜、薄膜二极管及其制备方法

摘要

高强度导电性聚噻吩、聚噻吩二极管及其在非贵金属基质上的制备方法,属于导电高分子领域。将噻吩溶于重蒸过的三氟化硼乙醚中,加入微量水,Ag/AgCl为参比电极,工作电极和对电极都可为下述金属或合金的一种或两种(不锈钢、铝、锌、铅、镍、铂、金),电解在惰性气氛下进行。电解电位为1.1-1.4伏,或恒电流法电流密度为0.1-5毫安/平方厘米,电极时间为600秒到30000秒,制得高强度、高致密度、高电导率的聚噻吩薄膜,并可制成聚噻吩二极管。该膜的沿膜平面方向上的电导率为50-200西门子/厘米,抗拉强度大于1000公斤/平方厘米,可用于电子器件、可充电池、电色器件、化学传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN1129353A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1996-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN95110939.1

  • 发明设计人 薛奇;石高全;金士;于波;吉敏;

    申请日1995-02-16

  • 分类号H01L21/00;

  • 代理机构南京大学专利事务所;

  • 代理人巫士华

  • 地址 210093 江苏省南京市汉口路22号

  • 入库时间 2023-12-17 12:48:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1998-07-08

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1996-08-21

    公开

    公开

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