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公开/公告号CN1129353A
专利类型发明专利
公开/公告日1996-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN95110939.1
发明设计人 薛奇;石高全;金士;于波;吉敏;
申请日1995-02-16
分类号H01L21/00;
代理机构南京大学专利事务所;
代理人巫士华
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2023-12-17 12:48:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1998-07-08
专利申请的视为撤回
1996-08-21
公开
机译: 聚噻吩衍生物薄膜,其制备方法,使用该薄膜的导电性超薄膜及其制备方法
机译: 外部刺激自掺的聚噻吩星型共聚物,制备相同的方法,使用该薄膜的导电性薄膜和制备导电性薄膜的方法
机译: 能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星共聚体,其制备方法,使用该方法的导电薄膜,以及制备导电性薄膜的方法
机译:掺杂有氯金酸的高导电性聚噻吩薄膜,用于挥发性有机胺和硫醇的双模传感
机译:聚噻吩并噻吩的薄膜形态,光学和导电性能之间的关系:[6,6]-苯基C-61-丁酸甲基酯本体异质结
机译:由聚噻吩和聚吡咯的高强度三层复合薄膜制成的导电聚合物电化学致动器
机译:制备方法对M_E / M_EN / M_E(M_E = Al,Ti)多层薄膜的薄膜结构和热稳定性的影响
机译:通过离子辅助沉积进行的表面聚合,以生长聚噻吩薄膜
机译:发光二极管:用于高效近红外发光二极管的CsPbCl3薄膜中的敏化Yb3 +发光(Adv。Sci。4/2020)
机译:确定聚噻吩中的激子带宽和薄膜微结构 使用线性吸收光谱的薄膜
机译:高度有序的多杂环薄膜:聚吡咯和聚噻吩Langmuir-Blodgett薄膜的同步辐射研究