掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法

摘要

本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在P型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特性，其B值为3850K，B值的偏差分布小于±0.3％，使用温区为-50℃～100℃之间。由于该电阻元件的B值适中，互换性能好，又易制作，成本低廉，不失为一种用于配制具有线性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。