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公开/公告号CN111585029A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN202010375801.1
发明设计人 靳贵平;杨菊;廖绍伟;
申请日2020-05-07
分类号H01Q13/02(20060101);H01Q1/38(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q9/04(20060101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人詹丽红
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-12-17 11:49:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
公开
机译: 具有高增益带宽乘积的放大器-具有差分输入驱动高增益和低输出阻抗级,全部包含NMOS FET
机译: 双极化低剖面高增益面板天线
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机译:基于MEMS技术的高增益和低侧瓣THZ波纹状喇叭天线
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