一种降低像增强器点亮光源图像周围亮环亮度的方法

摘要

本发明属于真空光电器件领域，公开了一种降低像增强器点亮光源图像周围亮环亮度的方法，该方法在MCP输入端镀制金属膜层，镀制时的浸入深度为输入端通道直径的一半，镀膜层的厚度为20nm‑150nm，镀制材料采用低二次电子发射系数的Pt/Pd/Ni/Ag/Au和/或Ir金属材料。本发明通过在输入端通道壁的上面再镀制一层二次电子发射系数较低的金属材料膜并覆盖原有的镍‑铬电极镀膜的办法，降低了MCP输入端产生二次电子的数量，大大降低亮环对亮斑周边目标的干扰。本发明能够大大降低像增强器点光源图像周围亮环的亮度，使微光夜视仪能够在存在点光源的视场中观察目标，而少受到点光源亮点周围亮环的干扰。