具有限定的止裂边缘延伸的压缩夹层

摘要

一种半导体器件包括：衬底；结构化夹层，在衬底上并且具有限定的边缘；以及结构化金属化，在结构化夹层上并且也具有限定的边缘。结构化夹层的每个限定边缘与结构化金属化的限定边缘之一相邻，并且在与结构化金属化的相邻限定边缘相同的方向上延伸。结构化夹层的每个限定边缘延伸超出结构化金属化的相邻限定边缘至少0.5微米，使得结构化金属化的每个限定边缘在到达结构化夹层的相邻限定边缘之前终止。结构化夹层在室温下具有压缩残余应力。