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一种支持全局曝光和卷帘曝光的像元结构

摘要

本发明公开了一种支持全局曝光和卷帘曝光的像元结构,包括8T像素单元和第二选择MOS管,且所述第二选择MOS管的栅极连接信号RS_R,所述第二选择MOS管的漏极连接所述8T像素单元中第一源跟随MOS管的源极,所述第二选择MOS管的源极连接像元结构输出端;当所述像元结构处于全局曝光模式时,所述信号RS_R保持低电平,控制所述第二选择MOS管关断;当所述像元结构处于卷帘曝光模式时,所述信号RS_R在读出阶段保持高电平,控制所述第二选择MOS管导通。本发明提供的像元结构只需在传统8T全局曝光像元的电路基础上增加了第二选择MOS管即可,结构简单,有利于提高集成电路的集成度;本发明在两种曝光模式间的切换只需要改变控制信号即可,操作方便。

著录项

  • 公开/公告号CN111491119A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微阱电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202010322491.7

  • 发明设计人 何学红;

    申请日2020-04-22

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陶金龙

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层

  • 入库时间 2023-12-17 11:36:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/374 申请日:20200422

    实质审查的生效

  • 2020-08-04

    公开

    公开

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