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一种用于低磁场下仲氢诱导极化装置及方法

摘要

本发明公开了一种用于低磁场下仲氢诱导极化装置,包括仲氢进气通道、保护气体进气通道和反应气体进气通道,仲氢进气通道、保护气体进气通道和反应气体进气通道的出气端均分别与第六直通阀一端和第七直通阀一端连接,第七直通阀另一端与反应器的进口端连接,反应器的出口端与第四单向阀的进端连接,反应器位于加热炉内,加热炉与加热炉控制器连接,第四单向阀的出端通过采样进气管与反应采样管连接,高斯计设置在反应器的出口端附近,高斯计与磁场强度显示仪连接。本发明还公开了一种用于低磁场下仲氢诱导极化方法。本发明结构简单,控制操作简便,实现高效的极化产生及稳定的极化核磁谱图信号采集。

著录项

  • 公开/公告号CN111537540A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010417047.3

  • 发明设计人 王伟宇;徐君;邓风;

    申请日2020-05-18

  • 分类号G01N24/08(20060101);G01R33/30(20060101);G01R33/44(20060101);

  • 代理机构42001 武汉宇晨专利事务所;

  • 代理人李鹏;王敏锋

  • 地址 430071 湖北省武汉市武昌区小洪山西30号

  • 入库时间 2023-12-17 11:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    公开

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