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一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路

摘要

本发明公开了一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路,充电回路的输出端经初级脉冲形成回路的输入端相连接,初级脉冲形成回路的输出端与可饱和脉冲变压器的原边绕组相连接,可饱和脉冲变压器中次级绕组的一端与次级储能电容的一端相连接,次级储能电容的另一端与DSRD开关组件的正极及阻性负载的一端相连接,可饱和脉冲变压器中次级绕组的另一端、DSRD开关组件的负极及阻性负载的另一端均接地,该电路能够有效的解决现有技术中基于DSRD的脉冲产生电路高幅值输出及高重频工作的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111431509A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202010335052.X

  • 发明设计人 谢彦召;赖雨辰;王海洋;

    申请日2020-04-24

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人房鑫

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-12-17 11:15:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/021 申请日:20200424

    实质审查的生效

  • 2020-07-17

    公开

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