首页> 中国专利> 一种Cu2O-Cu/二氧化钛纳米管阵列复合电极的制备方法

一种Cu2O-Cu/二氧化钛纳米管阵列复合电极的制备方法

摘要

本发明为一种Cu2O‑Cu/二氧化钛纳米管阵列复合电极的制备方法。该方法先通过电沉积将金属铜沉积到二氧化钛纳米管阵列与钛基底的交界处,然后通过化学沉淀和水热还原将铜颗粒沉积到二氧化钛纳米管阵列中,铜颗粒的表面被氧化形成氧化亚铜。本发明克服了铜氧化物和二氧化钛纳米管阵列的导电性差、铜氧化物利用率低的问题,提高了复合电极的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111564326A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北工业大学;

    申请/专利号CN202010591607.7

  • 发明设计人 王西新;印泽坤;赵建玲;李子庆;

    申请日2020-06-24

  • 分类号H01G11/86(20130101);H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/46(20130101);C25D11/26(20060101);C25D3/38(20060101);B22F9/24(20060101);

  • 代理机构12210 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人赵凤英

  • 地址 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#

  • 入库时间 2023-06-18 14:14:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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