用于制造半透明显示器的方法以及半透明显示器

摘要

本发明涉及一种半透明显示器以及一种用于制造半透明显示器的方法，该方法具有如下方法步骤：a)提供SOI晶片(100)，SOI晶片的表面具有至少一个像素区域(109)和至少一个与所述像素区域(109)相邻布置的接触区域(110)，其中SOI晶片(100)在背面包括硅衬底(101)；b)在SOI晶片(100)的正面上沉积至少一个电磁辐射发射层(201)；c)在至少一个电磁辐射发射层(201)上方施加至少一个透明的覆盖层(202)；d)将接线载体(501；601)附接至复合结构，该复合结构至少包括所述SOI晶片(100)、电磁辐射发射层(201)和透明的覆盖层(202)，其中在将接线载体(501；601)附接至由SOI晶片(100)、电磁辐射发射层(201)和透明的覆盖层(202)构成的复合结构之前，将硅衬底(101)从复合结构移除，从而形成剩余复合结构(301)，并且SOI晶片(100)的接触区域(110)与来自SOI晶片(100)背面的接线载体(501；601)之间形成导电连接。