一种采用化学气相沉积法制备碳化锆晶须的方法

摘要

本发明涉及一种采用化学气相沉积法制备碳化锆晶须的方法，利用化学气相沉积法工艺可控的优点，通过设置合适的温度、压力、前驱体输入量，搭配合适的气体流量比例，制备出形貌和尺寸优良的ZrC晶须。从所制备的形貌图3中可以看到，所得到的晶须形貌整齐，杆部为规则的四棱柱形，顶部有半球形的催化剂小液滴。晶须直径约为1～2μm，长度约为10～50μm。同时该方法借助气体绕镀性好的优势，所获得的ZrC晶须分布均匀，产量大。由图2可看出，所得的晶须生长密集，且均匀分布在碳碳基体的表面。同时，晶须制备所需温度低，便于生产制造。