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一种焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路

摘要

本发明公开了一种焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路,本发明通过在焦平面阵列读出电路中集成一非均匀性校正模块,非均匀性校正模块逐行逐列读出焦平面阵列中每个阵列像元的数字化输出信号,并将所述数字化输出信号与预先设定的像元输出目标值相比较,根据比较结果,调节第j列像元阵列偏置电路中的非均匀性调节电压的电压值,直至焦平面阵列探测器不再处于非均匀性校正调节模式,非均匀性校正模块停止工作,完成非均匀性校正。本发明非均匀性校正方法所采用的非均匀性校正模块结构简单,功耗及面积消耗低;使得焦平面阵列探测器本身能够实现非均匀性校正,不再需要外界输入非均匀性校正参数或对输出图像再次进行非均匀性处理。

著录项

  • 公开/公告号CN111447382A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010268809.8

  • 申请日2020-04-08

  • 分类号H04N5/365(20110101);H04N5/378(20110101);

  • 代理机构51220 成都行之专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李朝虎

  • 地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 10:58:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/365 申请日:20200408

    实质审查的生效

  • 2020-07-24

    公开

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