公开/公告号CN111562724A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡影速半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202010419928.9
申请日2020-05-18
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;
代理人彭素琴
地址 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园F3栋1-3层
入库时间 2023-12-17 10:58:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
公开
公开
机译: 光刻工艺的散焦计算方法对于半导体制造,使用高斯函数评估通过两次曝光操作获得的图案的线宽和粗糙度
机译: 错误纠正编码方法,使用错误纠正编码方法的数据记录方法及其装置,特别是在防止一个ECC块重叠超过两次的情况下,提高错误纠正能力
机译: 根据广告的两次曝光防止重叠充电的方法和装置