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基于二维钙钛矿单晶的垂直腔面发射激光器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于二维钙钛矿单晶的垂直腔面发射激光器及其制备方法,利用二维钙钛矿单晶作为垂直腔面发射激光器的光增益材料,二维钙钛矿单晶包括N层二维钙钛矿单层,N≥2;二维钙钛矿单层包括n层共角卤化铅八面体、n‑1层有机配体A及2层有机配体B,n≥1,且二维钙钛矿单层均具有相同的n值,有机配体A嵌入共角卤化铅八面体空隙,有机配体B分别位于共角卤化铅八面体的相对两侧,二维钙钛矿单层的化学式为B2An‑1PbnX3n+1,X为卤族元素,且有机配体B的碳原子数大于有机配体A;本发明基于二维钙钛矿单晶的垂直腔面发射激光器具有环境稳定性高、发射波长随n值可调、激光阈值低和品质因子高的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111446619A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海南麟电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010350421.2

  • 发明设计人 蒋小强;何云;许剑;刘桂芝;

    申请日2020-04-28

  • 分类号H01S5/183(20060101);H01S5/36(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A室

  • 入库时间 2023-12-17 10:58:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20200428

    实质审查的生效

  • 2020-07-24

    公开

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