一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件

摘要

本发明提出一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件，元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；与所述第一N型碳化硅区域相邻的JFET区域；第一P型碳化硅区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方、JFET区域的一侧；第一源极区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方、JFET区域的另一侧；第一隔离栅极区域，位于第一P型碳化硅区域、JFET区域和第一源极区域上方。这种结构能实现在不牺牲MOSFET的工作性能的同时，增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，获得器件性能与可靠性之间的优化与平衡。