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半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备

摘要

本发明提供了一种半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备。该方法应用于非对称加热炉体,该非对称加热炉体包括至少一个加热块,加热块的疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同,且分别独立供电控制;该方法包括:检测疏加热区和密加热区的温度;根据上述温度及预设温度阈值调节至少一个疏加热区,和/或至少一个密加热区的加热功率,以使非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。在本发明实施例中,可以独立控制疏加热区和密加热区的加热功率,适应各种不同温度要求,无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件,可以降低能耗、设备成本,提高生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111560606A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京北方华创微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN202010436589.5

  • 发明设计人 侯鹏飞;郑建宇;郝晓明;赵福平;

    申请日2020-05-21

  • 分类号C23C16/46(20060101);C23C16/52(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构11726 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王献茹

  • 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

  • 入库时间 2023-12-17 10:54:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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