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一种空腔限域原位生长大面积准单晶钙钛矿薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种空腔限域原位生长大面积准单晶钙钛矿薄膜的制备方法,其是先在大面积透明导电衬底上构建具有特定形状和规格的金属空腔电极,以降低器件内阻,然后在其表面制备载流子传输层,再在其上沉积功能化石墨烯量子点,最后空腔限域原位生长钙钛矿薄膜,并利用不良溶剂静置法促进准单晶钙钛矿的均匀快速生长,而制得所述大面积准单晶钙钛矿薄膜。本发明所得准单晶钙钛矿薄膜面积大、晶界少、缺陷少、厚度可控、内阻低,可直接应用到光伏器件中。

著录项

  • 公开/公告号CN111446370A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泉州师范学院;

    申请/专利号CN202010329361.6

  • 发明设计人 肖尧明;

    申请日2020-04-23

  • 分类号

  • 代理机构福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人修斯文

  • 地址 362000 福建省泉州市丰泽区东海大街398号

  • 入库时间 2023-12-17 10:54:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20200423

    实质审查的生效

  • 2020-07-24

    公开

    公开

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