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一种同时检测三氯化铁中痕量As、Pb、Cd、Zn、Cr、Co、V元素含量的方法

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摘要

本发明公开了一种同时检测三氯化铁中痕量As、Pb、Cd、Zn、Cr、Co、V的方法，包括以下步骤：(1)样品前处理：称取2‑20g三氯化铁样品，加入5‑50mL纯盐酸、适量氧化剂，加热至样品溶解和氯化亚铁氧化完全，将待测样品转移至分液漏斗中，加入10‑30mL乙酸丁酯，将Fe

1. 一种同时检测三氯化铁中痕量As、Pb、Cd、Zn、Cr、Co、V元素含量的方法 [P] . 中国专利： CN111443079A . 2020-07-24
2. 一种同时检测氯化亚铁中痕量As、Pb、Cd、Zn、Cr元素含量的方法 [P] . 中国专利： CN111443078A . 2020-07-24
3. M-containing silicon material (M is at least one element selected from Sn, Pb, Sb, Bi, In, Zn or Au) and method for producing the same [P] . 日本专利： JP6635292B2 . 2020-01-22

机译：含M的硅材料（M是选自Sn，Pb，Sb，Bi，In，Zn或Au中的至少一种元素）及其制造方法
4. M-CONTAINING SILICON MATERIAL, WHERE M IS AT LEAST ONE ELEMENT SELECTED FROM Sn, Pb, Sb, Bi, In, Zn OR Au, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR [P] . 日本专利： JP2017095326A . 2017-06-01

机译：含M的硅材料，其中M至少选自Sn，Pb，Sb，Bi，In，Zn或Au中的一种元素及其制造方法
5. A method for achieving a certain a function of between absorbed energy and photocurrent to larger single crystals or crystalline layers of chalcogenides of zn, cd, hg or a mixture of these [P] . 德国专利： DE814193C . 1951-09-20

机译：一种用于在较大的单晶或zn，cd，hg硫属元素化物的硫族化物晶体层或晶体层中实现吸收能量和光电流之间的某种功能的方法