防止在套刻对准标记上形成残留物的方法

摘要

本发明公开了一种防止在套刻对准标记上形成残留物的方法，包括：形成鳍体和浅沟槽场氧；形成套刻对准标记；形成栅介质层；形成多晶硅层；依次形成第一氮化硅层和第二氧化硅层；氮化硅层的厚度大于氧化硅层顶部表面的凹陷深度；进行以第一氮化硅层为研磨终点的第一次化学机械研磨工艺；进行选择性的第二次化学机械研磨工艺，使氮化硅层和氧化硅层的顶部表面相平；进行全面的第三次回刻工艺；形成硬质掩膜层，进行光刻定义和刻蚀形成伪多晶硅栅；形成第零层层间膜；进行第四次化学机械研磨工艺；进行DPR。本发明能在DPR艺中将套刻对准标记上的多晶硅层全部去除，从而能防止在套刻对准标记上形成残留物，消除后续对准问题。