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公开/公告号CN111384941A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN201911372722.9
发明设计人 S·普鲁索塔曼;S·P·黛博纳;P·T·罗伊内;S·C·巴特林;K·B·钦塔马尼;
申请日2019-12-27
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵志刚
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-12-17 10:08:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
公开
机译: 增强的抗干扰性锁存逻辑状态保留
机译: 锁存继电器能够实时控制,闩锁继电器的状态控制方法,以及能够实时状态控制的锁存继电器的电池组
机译: 保持易失性锁存电路的逻辑状态的各种方法和装置
机译:在Quasiotioiodize驱动的简单非线性电路中实现并行逻辑元件和内存锁存
机译:使用磁逻辑器件的低功耗数字锁存电路
机译:基于pyr基连接的三唑修饰的高氧磷酰胺[3]芳烃的Zn〜(2+)和H _2PO_4〜-离子比例荧光受体:具有R-S锁存逻辑电路的潜在分子交通信号
机译:使用广义耶鲁锁锁和顺序逻辑分析可部署结构部署锁存系统
机译:使用二元逻辑回归模型预测学习社区中一年级大学生的保留和试用状态。
机译:融合MRI扫描迷你精神状态检查和逻辑记忆力测试的深度学习模型可增强对轻度认知障碍的诊断
机译:简单非线性MLC电路SC-CNN单元中的所有逻辑门和内存锁存的实现
机译:多功能双稳态光学开关和锁存光学逻辑,使用集成的光电晶体管和表面发射激光器。