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具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜

摘要

本发明公开了一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜,该具有铁钕硼层的磁存储磁性多层膜自下而上依次包括:基片层、第一Ta金属层、第一NdFeB层、第一Pt层、第二NdFeB层、第二Pt层、第三NdFeB层、第三Pt层、第一W层、第一CoFeB层、掺Nd的MnO层、CoFeBNd层、第二W层、第二CoFeB层、掺Nd的MgO层以及第二Ta金属层。本发明的具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜能够适应较高温度,从而能够提升数据记录的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN111364012A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 蚌埠泰鑫材料技术有限公司;

    申请/专利号CN202010297827.9

  • 发明设计人 王文爽;沈文齐;

    申请日2020-04-16

  • 分类号

  • 代理机构昆明合众智信知识产权事务所;

  • 代理人汤文旋

  • 地址 233000 安徽省蚌埠市蚌山区延安南路1151号院内科技楼A-218室

  • 入库时间 2023-12-17 09:55:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20200416

    实质审查的生效

  • 2020-07-03

    公开

    公开

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