超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺

摘要

本发明属于玻璃芯片刻蚀技术领域，具体涉及超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺，腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液，所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：30—50份38％～42％的氢氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的饱和氟盐溶液；所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：25—30份38％～42％的氢氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸；其中粗腐蚀液中腐蚀温度为10—30℃；精腐蚀液中的腐蚀温度为‑10℃—‑4℃。该腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液，通过不同腐蚀速率的腐蚀液相配合，开沟速率快，开沟深度误差小，提高芯片质量。