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一种Cache RAM与Retention RAM数据高速交换架构及其方法

摘要

本发明公开了一种Cache RAM与Retention RAM数据高速交换架构及其方法,该架构包括:Cache模块包括Cache RAM,用于对数据进行缓存;Retention RAM,用于在系统休眠时,进行数据的缓存;数据交换控制器包括第一RAM端口和第二RAM端口;第一RAM端口与Cache RAM相连,用于实现数据交换控制器与CacheRAM之间的数据传输;第二RAM端口与Retention RAM相连,用于实现数据交换控制器与Retention RAM间的数据传输。该方法包括:数据从Cache RAM换出时:数据交换控制器发起对Cache RAM进行读操作,数据依次通过第一RAM端口和第二RAM端口输入Retention RAM中;数据换入Cache RAM时:数据交换控制器发起对Retention RAM进行读操作,数据依次通过第二RAM端口和第一RAM端口输入Cache RAM中。本发明显著提高了数据传输效率,提高了系统性能用户体验。

著录项

  • 公开/公告号CN111338984A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大唐半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202010117748.5

  • 发明设计人 杨友才;张林;边海勃;

    申请日2020-02-25

  • 分类号

  • 代理机构北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人曹鹏飞

  • 地址 100089 北京市海淀区永嘉北路6号5幢3层大唐半导体

  • 入库时间 2023-12-17 09:51:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/0831 申请日:20200225

    实质审查的生效

  • 2020-06-26

    公开

    公开

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