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公开/公告号CN111082229A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 安阳师范学院;
申请/专利号CN201911425897.1
发明设计人 胡丹;王红燕;张进峰;
申请日2019-12-23
分类号
代理机构
代理人
地址 455000 河南省安阳市弦歌大道436号
入库时间 2023-12-17 09:46:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-28
公开
机译: 基于石墨烯的结构和方法,用于微波和太赫兹频率的宽带电磁辐射吸收
机译: 基于石墨烯的微波和太赫兹频率下宽带电磁辐射吸收的结构和方法
机译: 基于石墨烯的可调谐太赫兹等离子体产生的半导体芯片
机译:基于石墨烯超材料和VO_2的可调宽带太赫兹吸收器
机译:基于双层石墨烯的可调宽带太赫兹吸收器依赖于杂交和堆叠效果的共存
机译:基于积极可调的双宽带石墨烯的太赫兹超材料吸收器
机译:基于石墨烯频率选择表面的可调谐宽带太赫兹吸收器
机译:可调 紧凑型 太赫兹 设备的基于 石墨烯 和 其它 2D 材质 Metasurfaces
机译:基于多层石墨烯碳带的可调超宽带太赫兹吸收器设计
机译:基于单层互补粘膜形石墨烯的宽带可调太赫兹超材料吸收器
机译:用于可调谐太赫兹超材料的石墨烯等离子体。