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硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备

摘要

本发明公开一种硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备,所述硅单晶长晶方法包括:提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块;在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后,逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节,并有效控制坩埚周围热场的温度梯度,借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。

著录项

  • 公开/公告号CN111379016A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 环球晶圆股份有限公司;

    申请/专利号CN201911151325.9

  • 发明设计人 陈俊宏;王兴邦;徐文庆;李依晴;

    申请日2019-11-21

  • 分类号C30B15/16(20060101);C30B15/10(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王博

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2023-12-17 09:38:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/16 申请日:20191121

    实质审查的生效

  • 2020-07-07

    公开

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