一种SiC MOSFET自适应驱动电路及自适应驱动方法

摘要

本发明公开了一种SiC MOSFET自适应驱动电路及自适应驱动方法，嵌入式系统输入PWM，输出PWM1和PWM2，PWM1和PWM2经隔离放大电路分别对应连接NPN管和PNP管的基极，NPN管和PNP管的集电极分别对应连接供电电源的正极端和负极端，NPN管和PNP管的发射极均连接SiC MOSFET的门极，SiC MOSFET的源极接地；通过隔离采样电路和微分电路分别获得SiC MOSFET漏极的电流变化率和电压变化率；嵌入式系统根据PWM的电平以及SiC MOSFET漏极的电流变化率和电压变化率，实时调整PWM1和PWM2的脉冲宽度，进而对SiC MOSFET在开关过程中产生的尖峰电流或浪涌电压进行有效的调节和控制，实现SiC MOSFET的自适应快速通断操作。