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大功率全SiC-MOSFET模块的驱动装置

摘要

本发明涉及功率器件的驱动装置,具体为大功率全SiC‑MOSFET模块的驱动装置。解决现有全SiC‑MOSFET模块的驱动装置受性能和结构限定无法满足大功率全SiC‑MOSFET模块驱动要求的问题。该驱动装置包括信号输入电路、故障反馈电路、电源变换电路、电源调理电路;电源变换电路包括带过流保护的DC‑DC电源模块,DC‑DC电源模块的输入电压为4~40V,输出为15V±3%,纹波系数小于5%;电源调理电路包括电压调节电路,从而输出电压可调的驱动电源;驱动输出信号通过连接器压装在全SiC‑MOSFET模块。本发明可驱动1700V及以下电压等级的全SiC‑MOSFET模块。

著录项

  • 公开/公告号CN111030452A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中车永济电机有限公司;

    申请/专利号CN201911314490.1

  • 申请日2019-12-19

  • 分类号H02M3/156(20060101);H02M1/32(20070101);H02M1/08(20060101);

  • 代理机构14100 太原科卫专利事务所(普通合伙);

  • 代理人朱源

  • 地址 044500 山西省运城市永济市电机大街18号

  • 入库时间 2023-12-17 09:29:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/156 申请日:20191219

    实质审查的生效

  • 2020-04-17

    公开

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