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刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀工艺用的挡片,包括晶圆衬底及其上的暖机膜层,所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。本发明还公开了一种防止挡片跳片的方法,包括在所述挡片的晶圆衬底底部生长一层防止跳片的绝缘膜层。本发明具有以下优点:可以增加挡片的等效电阻,以此来削弱挡片在放电时的振动,由此可以有效减小跳片的几率;本发明增加绝缘膜层也增加了挡片的重量,可以减小振动的强度;另外绝缘层可反复使用,具有成本低的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101697340B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN200910197820.3

  • 发明设计人 夏军;殷冠华;许昕睿;林俊毅;

    申请日2009-10-28

  • 分类号H01L21/00(20060101);H01L21/316(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-11

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20140514 申请日:20091028

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-10-03

    授权

    授权

  • 2011-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20091028

    实质审查的生效

  • 2010-04-21

    公开

    公开

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