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一种利用微喷砂技术增强单晶硅电池前表面陷光效果的方法

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本发明公开了一种利用微喷砂技术增强单晶硅电池前表面陷光效果的方法，通过微喷射技术将纳米级的SiO

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公开/公告号CN111211184A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-29

原文格式PDF
申请/专利权人浙江爱旭太阳能科技有限公司;
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申请/专利号CN201911392581.7
发明设计人易紫莹;张小明;李杰;林纲正;陈刚;
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申请日2019-12-30
分类号
代理机构广州三环专利商标代理有限公司;
代理人胡枫
地址 322009 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
入库时间 2023-12-17 09:04:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20191230

实质审查的生效
2020-05-29

公开

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