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一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法

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摘要

本发明提供一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法，步骤如下：1.将纳米级厚度的过渡金属硫属化合物转移到Si/SiO

1. 一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法 [P] . 中国专利： CN111211195B . 2021.05.25
2. 一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法 [P] . 中国专利： CN111211195A . 2020-05-29
3. A METHOD FOR MODIFYING THE STRUCTURE OF MATERIALS BY MEANS OF A GLOW DISCHARGE AND A DEVICE FOR MODIFYING THE STRUCTURE OF MATERIALS BY MEANS OF A GLOW DISCHARGE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017176132A1 . 2017-10-12

机译：一种利用辉光放电手段对材料结构进行改性的方法以及一种利用辉光放电手段对材料结构进行改性的装置
4. A method for electrochemically producing a carbonaceous material having a surface modified with functional groups, a novel carbonaceous material whose surface has been modified, and use of the material [P] . 日本专利： JP4300276B2 . 2009-07-22

机译：一种电化学生产具有经官能团改性的表面的碳质材料的方法，一种表面已改性的新型碳质材料以及该材料的用途
5. A method for electrochemically producing a carbonaceous material having a surface modified with functional groups, a novel carbonaceous material whose surface has been modified, and use of the material [P] . 日本专利： JP2001514711A . 2001-09-11

机译：一种电化学生产具有经官能团改性的表面的碳质材料的方法，一种表面已改性的新型碳质材料以及该材料的用途