三维竖直NAND字线的金属填充过程

摘要

公开了在半导体衬底上沉积诸如钨之类的过渡金属的方法。该方法包括提供乙硼烷和余量的氢的气体混合物，其中氢用于稳定气体混合物中的乙硼烷。该方法还包括将气体混合物输送到半导体衬底以形成硼层，其中硼层用作还原剂层以将含金属的前体转化为金属，例如将含钨的前体转化为钨。在一些实现方式中，半导体衬底包含竖直结构，例如三维竖直NAND结构，其具有在竖直结构的侧壁中具有开口的水平特征或字线，其中硼层可共形地沉积在竖直结构的水平特征中。