一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法

摘要

本发明属于新型电子元器件制备领域，特别涉及一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法。本发明显著改善了LED在高湿度下未密封的薄膜和器件的水分稳定性；2D覆盖层在2D‑3D钙钛矿薄膜中引起更大的费米能级分裂，从而导致更高的开启电压：在2D‑3D钙钛矿设备中，空穴提取也得到了促进，减少了能带排列和在亚能隙状态的非辐射复合。本发明的结构简单紧凑，无需额外添加钝化剂，兼顾二维与三维材料的优点，能提升钙钛矿LED的性能并同时获得长期稳定性。